一、大赛简介

为聚集柔性电子领域龙头企业、科研项目、人才技术，实现以赛代招，打造柔性电子产业标杆活动，成都高新区于2019年开始举办柔性电子产业创新创业大赛，至今已成功举办三届，现已成为全国唯一聚焦柔性电子领域的大型赛事品牌。今年，大赛再升级，将通过征集全球优质项目，开展路演、政企对接、投融资对接等一系列活动，让创新创业项目与成都当地产业、企业牢牢结合，实现创业者扎根成都、发展成都的目标。

二、参赛范围

2.1、柔性电子相关产业关键材料

柔性电路板制造关键材料（EMI材料、覆铜板材料、纯胶和膜材料等）：5G天线相关柔性材料（LCP、PTFE、Low Dk/Df纯胶等），柔性OLED及折叠显示关键材料（可折叠金属、TFE封装材料等），柔性显示发光材料和中间体材料，柔性PI材料（YPI、CPI、MPI等）；
柔性电子相关功能性器件及材料：柔性可穿戴传感器（生物传感器、物理化学传感器、人造电子皮肤等），柔性新能源材料（柔性薄膜太阳能电池、纸电池、柔性超级电容器等），新型柔性导电浆料；
柔性电子相关印刷及打印关键技术：激光直写、液态金属印刷、卷对卷、纳米压印、电子元器件印刷、高速喷墨打印。

2.2、新型显示
新型半导体显示关键材料与关键元器件：Mini-LED芯片和器件、Micro-LED芯片和器件、量子点材料和器件、三基色激光器半导体芯片和器件；
新型半导体显示器件量产工艺技术：微型芯片外延技术、芯片制备技术、巨量转移技术、微间距背板制造技术、高效显示驱动技术；
新型半导体显示器件关键原材料、组件、生产制造及检测设备：掩膜版、偏光片、滤光片、增光片、柔性基板、驱动和控制IC、ITO及其替代材料、生物特征识别传感器及量产及检测设备等；
新型半导体显示屏模组

2.3、第三代半导体
第三代半导体衬底材料：GaN、AlN、SiC等，特别是SiC衬底材料制备与加工工艺；
第三代半导体外延片和芯片：GaN、AlN、SiC等外延片和芯片；
基于第三代半导体及化合物半导体的器件和模块：功率器件和模块、微波射频器件和模块、光通讯器件和模块、红外及深紫外固态光源及探测器等。

2.4、高端装备与制造
工业与服务机器人：制造辅助机器人、特种服役机器人、医疗康复机器人、公共服务机器人、个人服务机器人等智能服务机器人，以及机器人关键零部件制造；
高端智能制造与检测设备：高端数控机床、增减材装备、高端半导体类制造设备（如激光打孔、晶圆切割、划片机等等）、高端检测装备等；
新能源装备与汽车：燃料电池与氢能源核心零部件（如质子交换膜、散热膜等），新能源与电动汽车整车及核心零部件（散热及电极等）；
能源互联网与电力物联网：智能电网装备、智能微电网控制设备、中压开关、一二次智能化设备、户外开关、高压直流输电设备、输配电及控制设备、新能源汽车充电换电电力设备、民用商用低压电气智能物联设备、电气电路复合材料、城市轨道交通核心元器件及自动化系统组件、储能技术研发及关键原材料和配套装置；
航空航天等空天装备与服务：民用飞机（含直升机）及零部件、结构健康监测系统、智能蒙皮、柔性天线等。

2.5、先进材料
结构与功能材料：超高纯稀土原材料、稀土功能材料、储能材料、先进碳材料（石墨烯、氟化碳等）、新型膜材料；
先进电子材料：第三代半导体材料（碳化硅等大尺寸、高质量第三代半导体衬底和薄膜材料），超宽禁带半导体材料（金刚石、氮化硼等单晶和薄膜材料），超大尺寸硅基材料，半导体照明材料，先进封装材料，先进光刻材料（掩膜版、光刻胶等）；
高性能复合材料：碳纤维复合材料、特种纤维材料、陶瓷基复合材料、自修复材料、智能仿生与表面功能材料、高分子材料。

三、参赛条件

大赛实行分组制，分为明星企业组和明日之星组。

3.1、明星企业组
企业注册成立时间在2019年1月1日（含）前
企业具有创新能力和高成长潜力，主要从事柔性电子产品研发、制造、服务等业务的科技型企业，无知识产权纠纷；
企业有自己的研发团队；
企业经营规范、社会信誉良好、无不良记录；
意向来成都投资创业的团队；
从未在往届柔性电子大赛中获得奖项。

3.2、明日之星组
初创企业（工商注册时间在2019年1月1日（含）后）或尚未在国内注册成立企业的创业团队（如海外留学回国创业人员、进入创业实施阶段的优秀科技团队、大学生创业团队等）；
参赛团队应具有创新能力和高成长潜力，主要从事柔性电子产业链相关产品和技术的研发、制造、生产及服务等方面的业务；
若拥有知识产权，应无知识产权纠纷；
参赛项目均需考虑其成果的商业转化可能及转化后的经济效益和社会效益；
核心团队成员不少于3人；
意向来成都投资创业的团队；
从未在往届柔性电子大赛中获得奖项。

四、大赛官网报名

点击报名